Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRLD110PBF
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
250pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4V, 5V
Vgs (max.)
±10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14646 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRLD110PBF
IRLD110PBF Elektronische componenten
IRLD110PBF verkoop
IRLD110PBF Leverancier
IRLD110PBF Distributeur
IRLD110PBF Data tafel
IRLD110PBF Foto's
IRLD110PBF Prijs
IRLD110PBF Aanbod
IRLD110PBF Laagste prijs
IRLD110PBF Zoekopdracht
IRLD110PBF Inkoop
IRLD110PBF Chip