Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
IRLD110

IRLD110

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Onderdeel nummer
IRLD110
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Apparaatpakket van leverancier
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
250pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4V, 5V
Vgs (max.)
±10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 26667 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanIRLD110
IRLD110 Elektronische componenten
IRLD110 verkoop
IRLD110 Leverancier
IRLD110 Distributeur
IRLD110 Data tafel
IRLD110 Foto's
IRLD110 Prijs
IRLD110 Aanbod
IRLD110 Laagste prijs
IRLD110 Zoekopdracht
IRLD110 Inkoop
IRLD110 Chip