SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Onderdeel nummer
SIZ200DT-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerWDFN
Vermogen - Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Apparaatpakket van leverancier
8-PowerPair® (3.3x3.3)
FET-type
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Standard
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 11678 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIZ200DT-T1-GE3
SIZ200DT-T1-GE3 Elektronische componenten
SIZ200DT-T1-GE3 verkoop
SIZ200DT-T1-GE3 Leverancier
SIZ200DT-T1-GE3 Distributeur
SIZ200DT-T1-GE3 Data tafel
SIZ200DT-T1-GE3 Foto's
SIZ200DT-T1-GE3 Prijs
SIZ200DT-T1-GE3 Aanbod
SIZ200DT-T1-GE3 Laagste prijs
SIZ200DT-T1-GE3 Zoekopdracht
SIZ200DT-T1-GE3 Inkoop
SIZ200DT-T1-GE3 Chip