Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SISS10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Onderdeel nummer
SISS10DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Vermogensdissipatie (max.)
57W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
40V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3750pF @ 20V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 14495 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSISS10DN-T1-GE3
SISS10DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SISS10DN-T1-GE3 verkoop
SISS10DN-T1-GE3 Leverancier
SISS10DN-T1-GE3 Distributeur
SISS10DN-T1-GE3 Data tafel
SISS10DN-T1-GE3 Foto's
SISS10DN-T1-GE3 Prijs
SISS10DN-T1-GE3 Aanbod
SISS10DN-T1-GE3 Laagste prijs
SISS10DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SISS10DN-T1-GE3 Inkoop
SISS10DN-T1-GE3 Chip