SISS08DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
Onderdeel nummer
SISS08DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8S
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8S
Vermogensdissipatie (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
25V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3670pF @ 12.5V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 29233 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SISS08DN-T1-GE3 verkoop
SISS08DN-T1-GE3 Leverancier
SISS08DN-T1-GE3 Distributeur
SISS08DN-T1-GE3 Data tafel
SISS08DN-T1-GE3 Foto's
SISS08DN-T1-GE3 Prijs
SISS08DN-T1-GE3 Aanbod
SISS08DN-T1-GE3 Laagste prijs
SISS08DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SISS08DN-T1-GE3 Inkoop
SISS08DN-T1-GE3 Chip