Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SIHW47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
Onderdeel nummer
SIHW47N65E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247AD
Vermogensdissipatie (max.)
417W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
273nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
5682pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 31360 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHW47N65E-GE3
SIHW47N65E-GE3 Elektronische componenten
SIHW47N65E-GE3 verkoop
SIHW47N65E-GE3 Leverancier
SIHW47N65E-GE3 Distributeur
SIHW47N65E-GE3 Data tafel
SIHW47N65E-GE3 Foto's
SIHW47N65E-GE3 Prijs
SIHW47N65E-GE3 Aanbod
SIHW47N65E-GE3 Laagste prijs
SIHW47N65E-GE3 Zoekopdracht
SIHW47N65E-GE3 Inkoop
SIHW47N65E-GE3 Chip