Koop Vishay Siliconix SIHU2N80E-GE3 MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

Bekijk meer informatie DataSheets

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Onderdeel nummer

SIHU2N80E-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

Onderdeelstatus

Active

Verpakking

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Through Hole

Pakket / doos

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Apparaatpakket van leverancier

IPAK (TO-251)

Vermogensdissipatie (max.)

62.5W (Tc)

FET-type

N-Channel

FET-functie

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

800V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

2.8A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

2.75 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

315pF @ 100V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

10V

Vgs (max.)

±30V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 38784 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

Vishay Siliconix

SIHU3N50D-E3