Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SIHP050N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V
Onderdeel nummer
SIHP050N60E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-220-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-220AB
Vermogensdissipatie (max.)
278W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3459pF @ 100V
Vgs (max.)
±30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 42835 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHP050N60E-GE3
SIHP050N60E-GE3 Elektronische componenten
SIHP050N60E-GE3 verkoop
SIHP050N60E-GE3 Leverancier
SIHP050N60E-GE3 Distributeur
SIHP050N60E-GE3 Data tafel
SIHP050N60E-GE3 Foto's
SIHP050N60E-GE3 Prijs
SIHP050N60E-GE3 Aanbod
SIHP050N60E-GE3 Laagste prijs
SIHP050N60E-GE3 Zoekopdracht
SIHP050N60E-GE3 Inkoop
SIHP050N60E-GE3 Chip