Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SIHJ6N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Onderdeel nummer
SIHJ6N65E-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8
Vermogensdissipatie (max.)
74W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
868 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
596pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 25017 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHJ6N65E-T1-GE3
SIHJ6N65E-T1-GE3 Elektronische componenten
SIHJ6N65E-T1-GE3 verkoop
SIHJ6N65E-T1-GE3 Leverancier
SIHJ6N65E-T1-GE3 Distributeur
SIHJ6N65E-T1-GE3 Data tafel
SIHJ6N65E-T1-GE3 Foto's
SIHJ6N65E-T1-GE3 Prijs
SIHJ6N65E-T1-GE3 Aanbod
SIHJ6N65E-T1-GE3 Laagste prijs
SIHJ6N65E-T1-GE3 Zoekopdracht
SIHJ6N65E-T1-GE3 Inkoop
SIHJ6N65E-T1-GE3 Chip