SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Onderdeel nummer
SIHD2N80E-GE3
Fabrikant/merk
Serie
E
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
D-PAK (TO-252AA)
Vermogensdissipatie (max.)
62.5W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
19.6nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
315pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 20978 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHD2N80E-GE3
SIHD2N80E-GE3 Elektronische componenten
SIHD2N80E-GE3 verkoop
SIHD2N80E-GE3 Leverancier
SIHD2N80E-GE3 Distributeur
SIHD2N80E-GE3 Data tafel
SIHD2N80E-GE3 Foto's
SIHD2N80E-GE3 Prijs
SIHD2N80E-GE3 Aanbod
SIHD2N80E-GE3 Laagste prijs
SIHD2N80E-GE3 Zoekopdracht
SIHD2N80E-GE3 Inkoop
SIHD2N80E-GE3 Chip