Koop Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Onderdeel nummer

SIDR610DP-T1-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Onderdeelstatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

PowerPAK® SO-8

Apparaatpakket van leverancier

PowerPAK® SO-8DC

Vermogensdissipatie (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET-type

N-Channel

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

200V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (max.)

±20V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

7.5V, 10V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 47401 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3