Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SIDR392DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 30V
Onderdeel nummer
SIDR392DP-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8DC
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
82A (Ta), 100A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
0.62 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
188nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
9530pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 28333 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIDR392DP-T1-GE3
SIDR392DP-T1-GE3 Elektronische componenten
SIDR392DP-T1-GE3 verkoop
SIDR392DP-T1-GE3 Leverancier
SIDR392DP-T1-GE3 Distributeur
SIDR392DP-T1-GE3 Data tafel
SIDR392DP-T1-GE3 Foto's
SIDR392DP-T1-GE3 Prijs
SIDR392DP-T1-GE3 Aanbod
SIDR392DP-T1-GE3 Laagste prijs
SIDR392DP-T1-GE3 Zoekopdracht
SIDR392DP-T1-GE3 Inkoop
SIDR392DP-T1-GE3 Chip