Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Onderdeel nummer
SI7601DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1870pF @ 10V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
2.5V, 4.5V
Vgs (max.)
±12V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 11231 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI7601DN-T1-GE3
SI7601DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SI7601DN-T1-GE3 verkoop
SI7601DN-T1-GE3 Leverancier
SI7601DN-T1-GE3 Distributeur
SI7601DN-T1-GE3 Data tafel
SI7601DN-T1-GE3 Foto's
SI7601DN-T1-GE3 Prijs
SI7601DN-T1-GE3 Aanbod
SI7601DN-T1-GE3 Laagste prijs
SI7601DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SI7601DN-T1-GE3 Inkoop
SI7601DN-T1-GE3 Chip