SI7101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Onderdeel nummer
SI7101DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
102nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3595pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±25V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 46811 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI7101DN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SI7101DN-T1-GE3 verkoop
SI7101DN-T1-GE3 Leverancier
SI7101DN-T1-GE3 Distributeur
SI7101DN-T1-GE3 Data tafel
SI7101DN-T1-GE3 Foto's
SI7101DN-T1-GE3 Prijs
SI7101DN-T1-GE3 Aanbod
SI7101DN-T1-GE3 Laagste prijs
SI7101DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SI7101DN-T1-GE3 Inkoop
SI7101DN-T1-GE3 Chip