SI4888DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Onderdeel nummer
SI4888DY-T1-E3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
1.6W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 50805 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI4888DY-T1-E3
SI4888DY-T1-E3 Elektronische componenten
SI4888DY-T1-E3 verkoop
SI4888DY-T1-E3 Leverancier
SI4888DY-T1-E3 Distributeur
SI4888DY-T1-E3 Data tafel
SI4888DY-T1-E3 Foto's
SI4888DY-T1-E3 Prijs
SI4888DY-T1-E3 Aanbod
SI4888DY-T1-E3 Laagste prijs
SI4888DY-T1-E3 Zoekopdracht
SI4888DY-T1-E3 Inkoop
SI4888DY-T1-E3 Chip