Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Onderdeel nummer
SI4800BDY-T1-E3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±25V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 38969 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3 Elektronische componenten
SI4800BDY-T1-E3 verkoop
SI4800BDY-T1-E3 Leverancier
SI4800BDY-T1-E3 Distributeur
SI4800BDY-T1-E3 Data tafel
SI4800BDY-T1-E3 Foto's
SI4800BDY-T1-E3 Prijs
SI4800BDY-T1-E3 Aanbod
SI4800BDY-T1-E3 Laagste prijs
SI4800BDY-T1-E3 Zoekopdracht
SI4800BDY-T1-E3 Inkoop
SI4800BDY-T1-E3 Chip