Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Onderdeel nummer
TH58BYG2S3HBAI6
Serie
Benand™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tray
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 85°C (TA)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
67-VFBGA
Apparaatpakket van leverancier
67-VFBGA (6.5x8)
Spanning - voeding
1.7 V ~ 1.95 V
Geheugentype
Non-Volatile
Geheugen grootte
4Gb (512M x 8)
Toegangstijd
25ns
Klokfrequentie
-
Geheugenformaat
Flash
Schrijfcyclustijd - Word, Pagina
25ns
Geheugeninterface
Parallel
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 16802 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanTH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6 Elektronische componenten
TH58BYG2S3HBAI6 verkoop
TH58BYG2S3HBAI6 Leverancier
TH58BYG2S3HBAI6 Distributeur
TH58BYG2S3HBAI6 Data tafel
TH58BYG2S3HBAI6 Foto's
TH58BYG2S3HBAI6 Prijs
TH58BYG2S3HBAI6 Aanbod
TH58BYG2S3HBAI6 Laagste prijs
TH58BYG2S3HBAI6 Zoekopdracht
TH58BYG2S3HBAI6 Inkoop
TH58BYG2S3HBAI6 Chip