Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
QJD1210010

QJD1210010

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Onderdeel nummer
QJD1210010
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Bulk
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Chassis Mount
Pakket / doos
Module
Vermogen - Max
1080W
Apparaatpakket van leverancier
Module
FET-type
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Standard
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1200V (1.2kV)
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
100A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
10200pF @ 800V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 21536 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanQJD1210010
QJD1210010 Elektronische componenten
QJD1210010 verkoop
QJD1210010 Leverancier
QJD1210010 Distributeur
QJD1210010 Data tafel
QJD1210010 Foto's
QJD1210010 Prijs
QJD1210010 Aanbod
QJD1210010 Laagste prijs
QJD1210010 Zoekopdracht
QJD1210010 Inkoop
QJD1210010 Chip