NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Onderdeel nummer
NTMS10P02R2G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SOIC
Vermogensdissipatie (max.)
1.6W (Ta)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3640pF @ 16V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
2.5V, 4.5V
Vgs (max.)
±12V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 23572 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanNTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Elektronische componenten
NTMS10P02R2G verkoop
NTMS10P02R2G Leverancier
NTMS10P02R2G Distributeur
NTMS10P02R2G Data tafel
NTMS10P02R2G Foto's
NTMS10P02R2G Prijs
NTMS10P02R2G Aanbod
NTMS10P02R2G Laagste prijs
NTMS10P02R2G Zoekopdracht
NTMS10P02R2G Inkoop
NTMS10P02R2G Chip