Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
NDD02N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V IPAK
Onderdeel nummer
NDD02N60Z-1G
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Apparaatpakket van leverancier
I-PAK
Vermogensdissipatie (max.)
57W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
600V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
10.1nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
274pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37697 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanNDD02N60Z-1G
NDD02N60Z-1G Elektronische componenten
NDD02N60Z-1G verkoop
NDD02N60Z-1G Leverancier
NDD02N60Z-1G Distributeur
NDD02N60Z-1G Data tafel
NDD02N60Z-1G Foto's
NDD02N60Z-1G Prijs
NDD02N60Z-1G Aanbod
NDD02N60Z-1G Laagste prijs
NDD02N60Z-1G Zoekopdracht
NDD02N60Z-1G Inkoop
NDD02N60Z-1G Chip