Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
APT1001R1BN
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Onderdeel nummer
APT1001R1BN
Fabrikant/merk
Serie
POWER MOS IV®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247AD
Vermogensdissipatie (max.)
310W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1000V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2950pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 37761 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanAPT1001R1BN
APT1001R1BN Elektronische componenten
APT1001R1BN verkoop
APT1001R1BN Leverancier
APT1001R1BN Distributeur
APT1001R1BN Data tafel
APT1001R1BN Foto's
APT1001R1BN Prijs
APT1001R1BN Aanbod
APT1001R1BN Laagste prijs
APT1001R1BN Zoekopdracht
APT1001R1BN Inkoop
APT1001R1BN Chip