Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IPB80N06S209ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Onderdeel nummer
IPB80N06S209ATMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Discontinued at Digi-Key
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO263-3-2
Vermogensdissipatie (max.)
190W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
55V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 125µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2360pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 42982 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPB80N06S209ATMA1
IPB80N06S209ATMA1 Elektronische componenten
IPB80N06S209ATMA1 verkoop
IPB80N06S209ATMA1 Leverancier
IPB80N06S209ATMA1 Distributeur
IPB80N06S209ATMA1 Data tafel
IPB80N06S209ATMA1 Foto's
IPB80N06S209ATMA1 Prijs
IPB80N06S209ATMA1 Aanbod
IPB80N06S209ATMA1 Laagste prijs
IPB80N06S209ATMA1 Zoekopdracht
IPB80N06S209ATMA1 Inkoop
IPB80N06S209ATMA1 Chip