Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC8010
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC8010
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Apparaatpakket van leverancier
Die
Vermogensdissipatie (max.)
-
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.48nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
55pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
5V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 11565 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanEPC8010
EPC8010 Elektronische componenten
EPC8010 verkoop
EPC8010 Leverancier
EPC8010 Distributeur
EPC8010 Data tafel
EPC8010 Foto's
EPC8010 Prijs
EPC8010 Aanbod
EPC8010 Laagste prijs
EPC8010 Zoekopdracht
EPC8010 Inkoop
EPC8010 Chip