Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
EPC8009
TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Onderdeel nummer
EPC8009
Fabrikant/merk
Serie
eGaN®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Bedrijfstemperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
Die
Apparaatpakket van leverancier
Die
Vermogensdissipatie (max.)
-
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
65V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
52pF @ 32.5V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
5V
Vgs (max.)
+6V, -4V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 24038 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanEPC8009
EPC8009 Elektronische componenten
EPC8009 verkoop
EPC8009 Leverancier
EPC8009 Distributeur
EPC8009 Data tafel
EPC8009 Foto's
EPC8009 Prijs
EPC8009 Aanbod
EPC8009 Laagste prijs
EPC8009 Zoekopdracht
EPC8009 Inkoop
EPC8009 Chip