Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
C2M0080170P
ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
Onderdeel nummer
C2M0080170P
Fabrikant/merk
Serie
C2M™
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-4
Apparaatpakket van leverancier
TO-247-4L
Vermogensdissipatie (max.)
277W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
1700V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 28A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2250pF @ 1000V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
20V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 20159 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanC2M0080170P
C2M0080170P Elektronische componenten
C2M0080170P verkoop
C2M0080170P Leverancier
C2M0080170P Distributeur
C2M0080170P Data tafel
C2M0080170P Foto's
C2M0080170P Prijs
C2M0080170P Aanbod
C2M0080170P Laagste prijs
C2M0080170P Zoekopdracht
C2M0080170P Inkoop
C2M0080170P Chip