Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
PJM123NSA
PJM123NSA
Onderdeel nummer
PJM123NSA
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
PJSEMI (flat crystal micro)
Inkapseling
SOT-23
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
Drain-source voltage (Vdss): 100V, continuous drain current (Id) (at 25°C): 0.17A, gate-source threshold voltage: 1~3V@250uA, drain-source on-resistance: 3.8Ω@Vgs=0.17 A, 4.5V, maximum power dissipation (Ta=25°C): 0.9W, type: N-channel
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.