onsemi (Ansemi)
Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Onderdeel nummer
NXH100B120H3Q0STG
Categorie
Power IC > Power Module
Fabrikant/merk
onsemi (Ansemi)
Inkapseling
-
Inpakken
tray
Aantal pakketten
24
Beschrijving
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 80099 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Trefwoorden vanNXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Elektronische componenten
NXH100B120H3Q0STG verkoop
NXH100B120H3Q0STG Leverancier
NXH100B120H3Q0STG Distributeur
NXH100B120H3Q0STG Data tafel
NXH100B120H3Q0STG Foto's
NXH100B120H3Q0STG Prijs
NXH100B120H3Q0STG Aanbod
NXH100B120H3Q0STG Laagste prijs
NXH100B120H3Q0STG Zoekopdracht
NXH100B120H3Q0STG Inkoop
NXH100B120H3Q0STG Chip