Afbeelding kan een representatie zijn. Zie specificaties voor productdetails.
AGM605Q
N-channel 60V 58A 6.2mΩ
Onderdeel nummer
AGM605Q
Categorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabrikant/merk
AGM-Semi (core control source)
Inkapseling
DFN5x6
Inpakken
taping
Aantal pakketten
3000
Beschrijving
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 58A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.2mΩ@10V,15A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.976nF@30V, Vds=60V Id=58A Rds=6.2mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6encapsulation;
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.