SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Onderdeel nummer
SISH410DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8SH
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8SH
Vermogensdissipatie (max.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1600pF @ 10V
Vgs (max.)
±20V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 49414 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SISH410DN-T1-GE3 verkoop
SISH410DN-T1-GE3 Leverancier
SISH410DN-T1-GE3 Distributeur
SISH410DN-T1-GE3 Data tafel
SISH410DN-T1-GE3 Foto's
SISH410DN-T1-GE3 Prijs
SISH410DN-T1-GE3 Aanbod
SISH410DN-T1-GE3 Laagste prijs
SISH410DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SISH410DN-T1-GE3 Inkoop
SISH410DN-T1-GE3 Chip