SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Onderdeel nummer
SIS892DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8
Vermogensdissipatie (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
611pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 9444 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SIS892DN-T1-GE3 verkoop
SIS892DN-T1-GE3 Leverancier
SIS892DN-T1-GE3 Distributeur
SIS892DN-T1-GE3 Data tafel
SIS892DN-T1-GE3 Foto's
SIS892DN-T1-GE3 Prijs
SIS892DN-T1-GE3 Aanbod
SIS892DN-T1-GE3 Laagste prijs
SIS892DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SIS892DN-T1-GE3 Inkoop
SIS892DN-T1-GE3 Chip