Koop Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.

DataSheets

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Onderdeel nummer

SIRA12DP-T1-GE3

Fabrikant/merk

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Onderdeelstatus

Active

Verpakking

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Bedrijfstemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montage type

Surface Mount

Pakket / doos

PowerPAK® SO-8

Apparaatpakket van leverancier

PowerPAK® SO-8

Vermogensdissipatie (max.)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

FET-type

N-Channel

FET-functie

Afvoer naar bronspanning (Vdss)

30V

Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Rds Aan (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds

2070pF @ 15V

Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)

4.5V, 10V

Vgs (max.)

+20V, -16V

Offerte aanvragen

Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.

Op voorraad 36345 PCS

Contactgegevens

Gerelateerde producten

SIRA00DP-T1-GE3