SIR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Onderdeel nummer
SIR626LDP-T1-RE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET® Gen IV
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
5900pF @ 30V
Vgs (max.)
±20V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 5373 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIR626LDP-T1-RE3
SIR626LDP-T1-RE3 Elektronische componenten
SIR626LDP-T1-RE3 verkoop
SIR626LDP-T1-RE3 Leverancier
SIR626LDP-T1-RE3 Distributeur
SIR626LDP-T1-RE3 Data tafel
SIR626LDP-T1-RE3 Foto's
SIR626LDP-T1-RE3 Prijs
SIR626LDP-T1-RE3 Aanbod
SIR626LDP-T1-RE3 Laagste prijs
SIR626LDP-T1-RE3 Zoekopdracht
SIR626LDP-T1-RE3 Inkoop
SIR626LDP-T1-RE3 Chip