SIR470DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Onderdeel nummer
SIR470DP-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8
Vermogensdissipatie (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
40V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
5660pF @ 20V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 51997 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3 Elektronische componenten
SIR470DP-T1-GE3 verkoop
SIR470DP-T1-GE3 Leverancier
SIR470DP-T1-GE3 Distributeur
SIR470DP-T1-GE3 Data tafel
SIR470DP-T1-GE3 Foto's
SIR470DP-T1-GE3 Prijs
SIR470DP-T1-GE3 Aanbod
SIR470DP-T1-GE3 Laagste prijs
SIR470DP-T1-GE3 Zoekopdracht
SIR470DP-T1-GE3 Inkoop
SIR470DP-T1-GE3 Chip