SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Onderdeel nummer
SIHG33N65E-GE3
Fabrikant/merk
Onderdeelstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Through Hole
Pakket / doos
TO-247-3
Apparaatpakket van leverancier
TO-247AC
Vermogensdissipatie (max.)
313W (Tc)
FET-type
N-Channel
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
650V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
32.4A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4040pF @ 100V
Vgs (max.)
±30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 49804 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSIHG33N65E-GE3
SIHG33N65E-GE3 Elektronische componenten
SIHG33N65E-GE3 verkoop
SIHG33N65E-GE3 Leverancier
SIHG33N65E-GE3 Distributeur
SIHG33N65E-GE3 Data tafel
SIHG33N65E-GE3 Foto's
SIHG33N65E-GE3 Prijs
SIHG33N65E-GE3 Aanbod
SIHG33N65E-GE3 Laagste prijs
SIHG33N65E-GE3 Zoekopdracht
SIHG33N65E-GE3 Inkoop
SIHG33N65E-GE3 Chip