Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
SIE816DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Onderdeel nummer
SIE816DF-T1-GE3
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
10-PolarPAK® (L)
Apparaatpakket van leverancier
10-PolarPAK® (L)
Vermogensdissipatie (max.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
7.4 mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3100pF @ 30V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar chen_hx1688@hotmail.com, wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 8533 PCS
Trefwoorden vanSIE816DF-T1-GE3
SIE816DF-T1-GE3 Elektronische componenten
SIE816DF-T1-GE3 verkoop
SIE816DF-T1-GE3 Leverancier
SIE816DF-T1-GE3 Distributeur
SIE816DF-T1-GE3 Data tafel
SIE816DF-T1-GE3 Foto's
SIE816DF-T1-GE3 Prijs
SIE816DF-T1-GE3 Aanbod
SIE816DF-T1-GE3 Laagste prijs
SIE816DF-T1-GE3 Zoekopdracht
SIE816DF-T1-GE3 Inkoop
SIE816DF-T1-GE3 Chip