Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
SIA850DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Onderdeel nummer
SIA850DJ-T1-GE3
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vermogensdissipatie (max.)
1.9W (Ta), 7W (Tc)
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
190V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
950mA (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
90pF @ 100V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.8V, 4.5V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar chen_hx1688@hotmail.com, wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 40548 PCS
Trefwoorden vanSIA850DJ-T1-GE3
SIA850DJ-T1-GE3 Elektronische componenten
SIA850DJ-T1-GE3 verkoop
SIA850DJ-T1-GE3 Leverancier
SIA850DJ-T1-GE3 Distributeur
SIA850DJ-T1-GE3 Data tafel
SIA850DJ-T1-GE3 Foto's
SIA850DJ-T1-GE3 Prijs
SIA850DJ-T1-GE3 Aanbod
SIA850DJ-T1-GE3 Laagste prijs
SIA850DJ-T1-GE3 Zoekopdracht
SIA850DJ-T1-GE3 Inkoop
SIA850DJ-T1-GE3 Chip