SI7956DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Onderdeel nummer
SI7956DP-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8 Dual
Vermogen - Max
1.4W
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8 Dual
FET-type
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
150V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.6A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 34973 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI7956DP-T1-GE3
SI7956DP-T1-GE3 Elektronische componenten
SI7956DP-T1-GE3 verkoop
SI7956DP-T1-GE3 Leverancier
SI7956DP-T1-GE3 Distributeur
SI7956DP-T1-GE3 Data tafel
SI7956DP-T1-GE3 Foto's
SI7956DP-T1-GE3 Prijs
SI7956DP-T1-GE3 Aanbod
SI7956DP-T1-GE3 Laagste prijs
SI7956DP-T1-GE3 Zoekopdracht
SI7956DP-T1-GE3 Inkoop
SI7956DP-T1-GE3 Chip