SI7911DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Onderdeel nummer
SI7911DN-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Cut Tape (CT)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® 1212-8 Dual
Vermogen - Max
1.3W
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET-type
2 P-Channel (Dual)
FET-functie
Logic Level Gate
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.2A
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
51 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 7198 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI7911DN-T1-GE3
SI7911DN-T1-GE3 Elektronische componenten
SI7911DN-T1-GE3 verkoop
SI7911DN-T1-GE3 Leverancier
SI7911DN-T1-GE3 Distributeur
SI7911DN-T1-GE3 Data tafel
SI7911DN-T1-GE3 Foto's
SI7911DN-T1-GE3 Prijs
SI7911DN-T1-GE3 Aanbod
SI7911DN-T1-GE3 Laagste prijs
SI7911DN-T1-GE3 Zoekopdracht
SI7911DN-T1-GE3 Inkoop
SI7911DN-T1-GE3 Chip