Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
SI7434DP-T1-GE3

SI7434DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Onderdeel nummer
SI7434DP-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
PowerPAK® SO-8
Apparaatpakket van leverancier
PowerPAK® SO-8
Vermogensdissipatie (max.)
1.9W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
250V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 30824 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanSI7434DP-T1-GE3
SI7434DP-T1-GE3 Elektronische componenten
SI7434DP-T1-GE3 verkoop
SI7434DP-T1-GE3 Leverancier
SI7434DP-T1-GE3 Distributeur
SI7434DP-T1-GE3 Data tafel
SI7434DP-T1-GE3 Foto's
SI7434DP-T1-GE3 Prijs
SI7434DP-T1-GE3 Aanbod
SI7434DP-T1-GE3 Laagste prijs
SI7434DP-T1-GE3 Zoekopdracht
SI7434DP-T1-GE3 Inkoop
SI7434DP-T1-GE3 Chip