SI5402BDC-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Onderdeel nummer
SI5402BDC-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SMD, Flat Lead
Apparaatpakket van leverancier
1206-8 ChipFET™
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar chen_hx1688@hotmail.com, wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 24172 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI5402BDC-T1-GE3
SI5402BDC-T1-GE3 Elektronische componenten
SI5402BDC-T1-GE3 verkoop
SI5402BDC-T1-GE3 Leverancier
SI5402BDC-T1-GE3 Distributeur
SI5402BDC-T1-GE3 Data tafel
SI5402BDC-T1-GE3 Foto's
SI5402BDC-T1-GE3 Prijs
SI5402BDC-T1-GE3 Aanbod
SI5402BDC-T1-GE3 Laagste prijs
SI5402BDC-T1-GE3 Zoekopdracht
SI5402BDC-T1-GE3 Inkoop
SI5402BDC-T1-GE3 Chip