SI4464DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
Onderdeel nummer
SI4464DY-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
200V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 33939 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI4464DY-T1-GE3
SI4464DY-T1-GE3 Elektronische componenten
SI4464DY-T1-GE3 verkoop
SI4464DY-T1-GE3 Leverancier
SI4464DY-T1-GE3 Distributeur
SI4464DY-T1-GE3 Data tafel
SI4464DY-T1-GE3 Foto's
SI4464DY-T1-GE3 Prijs
SI4464DY-T1-GE3 Aanbod
SI4464DY-T1-GE3 Laagste prijs
SI4464DY-T1-GE3 Zoekopdracht
SI4464DY-T1-GE3 Inkoop
SI4464DY-T1-GE3 Chip