SI4102DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Onderdeel nummer
SI4102DY-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Apparaatpakket van leverancier
8-SO
Vermogensdissipatie (max.)
2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
158 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
370pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 5430 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 Elektronische componenten
SI4102DY-T1-GE3 verkoop
SI4102DY-T1-GE3 Leverancier
SI4102DY-T1-GE3 Distributeur
SI4102DY-T1-GE3 Data tafel
SI4102DY-T1-GE3 Foto's
SI4102DY-T1-GE3 Prijs
SI4102DY-T1-GE3 Aanbod
SI4102DY-T1-GE3 Laagste prijs
SI4102DY-T1-GE3 Zoekopdracht
SI4102DY-T1-GE3 Inkoop
SI4102DY-T1-GE3 Chip