SI2315BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Onderdeel nummer
SI2315BDS-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Apparaatpakket van leverancier
-
Vermogensdissipatie (max.)
750mW (Ta)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
12V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
715pF @ 6V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 27508 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 Elektronische componenten
SI2315BDS-T1-GE3 verkoop
SI2315BDS-T1-GE3 Leverancier
SI2315BDS-T1-GE3 Distributeur
SI2315BDS-T1-GE3 Data tafel
SI2315BDS-T1-GE3 Foto's
SI2315BDS-T1-GE3 Prijs
SI2315BDS-T1-GE3 Aanbod
SI2315BDS-T1-GE3 Laagste prijs
SI2315BDS-T1-GE3 Zoekopdracht
SI2315BDS-T1-GE3 Inkoop
SI2315BDS-T1-GE3 Chip