Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
SI2309DS-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
Onderdeel nummer
SI2309DS-T1-E3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Apparaatpakket van leverancier
SOT-23-3 (TO-236)
Vermogensdissipatie (max.)
1.25W (Ta)
FET-type
P-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
60V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
-
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar chen_hx1688@hotmail.com, wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 51862 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI2309DS-T1-E3
SI2309DS-T1-E3 Elektronische componenten
SI2309DS-T1-E3 verkoop
SI2309DS-T1-E3 Leverancier
SI2309DS-T1-E3 Distributeur
SI2309DS-T1-E3 Data tafel
SI2309DS-T1-E3 Foto's
SI2309DS-T1-E3 Prijs
SI2309DS-T1-E3 Aanbod
SI2309DS-T1-E3 Laagste prijs
SI2309DS-T1-E3 Zoekopdracht
SI2309DS-T1-E3 Inkoop
SI2309DS-T1-E3 Chip