SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
Onderdeel nummer
SI1012CR-T1-GE3
Fabrikant/merk
Serie
TrenchFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
SC-75, SOT-416
Apparaatpakket van leverancier
SC-75A
Vermogensdissipatie (max.)
240mW (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
20V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
396 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
43pF @ 10V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
1.5V, 4.5V
Vgs (max.)
±8V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 13062 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanSI1012CR-T1-GE3
SI1012CR-T1-GE3 Elektronische componenten
SI1012CR-T1-GE3 verkoop
SI1012CR-T1-GE3 Leverancier
SI1012CR-T1-GE3 Distributeur
SI1012CR-T1-GE3 Data tafel
SI1012CR-T1-GE3 Foto's
SI1012CR-T1-GE3 Prijs
SI1012CR-T1-GE3 Aanbod
SI1012CR-T1-GE3 Laagste prijs
SI1012CR-T1-GE3 Zoekopdracht
SI1012CR-T1-GE3 Inkoop
SI1012CR-T1-GE3 Chip