RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Onderdeel nummer
RQ3E160ADTB
Fabrikant/merk
Serie
-
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
8-PowerVDFN
Apparaatpakket van leverancier
8-HSMT (3.2x3)
Vermogensdissipatie (max.)
2W (Ta)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
30V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
2550pF @ 15V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 48416 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanRQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB Elektronische componenten
RQ3E160ADTB verkoop
RQ3E160ADTB Leverancier
RQ3E160ADTB Distributeur
RQ3E160ADTB Data tafel
RQ3E160ADTB Foto's
RQ3E160ADTB Prijs
RQ3E160ADTB Aanbod
RQ3E160ADTB Laagste prijs
RQ3E160ADTB Zoekopdracht
RQ3E160ADTB Inkoop
RQ3E160ADTB Chip