Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
FQD1N80TM

FQD1N80TM

MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Onderdeel nummer
FQD1N80TM
Fabrikant/merk
Serie
QFET®
Onderdeelstatus
Active
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
D-Pak
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
800V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
195pF @ 25V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±30V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 21671 PCS
Contactgegevens
Trefwoorden vanFQD1N80TM
FQD1N80TM Elektronische componenten
FQD1N80TM verkoop
FQD1N80TM Leverancier
FQD1N80TM Distributeur
FQD1N80TM Data tafel
FQD1N80TM Foto's
FQD1N80TM Prijs
FQD1N80TM Aanbod
FQD1N80TM Laagste prijs
FQD1N80TM Zoekopdracht
FQD1N80TM Inkoop
FQD1N80TM Chip