IRF6710S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Onderdeel nummer
IRF6710S2TR1PBF
Fabrikant/merk
Serie
HEXFET®
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
DirectFET™ Isometric S1
Apparaatpakket van leverancier
DIRECTFET S1
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
25V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
1190pF @ 13V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
4.5V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 34499 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF Elektronische componenten
IRF6710S2TR1PBF verkoop
IRF6710S2TR1PBF Leverancier
IRF6710S2TR1PBF Distributeur
IRF6710S2TR1PBF Data tafel
IRF6710S2TR1PBF Foto's
IRF6710S2TR1PBF Prijs
IRF6710S2TR1PBF Aanbod
IRF6710S2TR1PBF Laagste prijs
IRF6710S2TR1PBF Zoekopdracht
IRF6710S2TR1PBF Inkoop
IRF6710S2TR1PBF Chip