Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Onderdeel nummer
IPD082N10N3GBTMA1
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Apparaatpakket van leverancier
PG-TO252-3
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
100V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
3980pF @ 50V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
6V, 10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 5330 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPD082N10N3GBTMA1
IPD082N10N3GBTMA1 Elektronische componenten
IPD082N10N3GBTMA1 verkoop
IPD082N10N3GBTMA1 Leverancier
IPD082N10N3GBTMA1 Distributeur
IPD082N10N3GBTMA1 Data tafel
IPD082N10N3GBTMA1 Foto's
IPD082N10N3GBTMA1 Prijs
IPD082N10N3GBTMA1 Aanbod
IPD082N10N3GBTMA1 Laagste prijs
IPD082N10N3GBTMA1 Zoekopdracht
IPD082N10N3GBTMA1 Inkoop
IPD082N10N3GBTMA1 Chip