Afbeelding kan een representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Zie specificaties voor productdetails.
IPB12CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
Onderdeel nummer
IPB12CNE8N G
Fabrikant/merk
Serie
OptiMOS™
Onderdeelstatus
Obsolete
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type
Surface Mount
Pakket / doos
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Apparaatpakket van leverancier
D²PAK (TO-263AB)
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
FET-type
N-Channel
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (Vdss)
85V
Stroom - Continue afvoer (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Rds Aan (Max) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) @ Vds
4340pF @ 40V
Aandrijfspanning (max. Rds aan, min. Rds aan)
10V
Vgs (max.)
±20V
Offerte aanvragen
Vul alle verplichte velden in en klik op VERZENDEN. We nemen binnen 12 uur per e-mail contact met u op. Als u een probleem heeft, kunt u een bericht achterlaten of een e-mail sturen naar [email protected], wij zullen zo snel mogelijk reageren.
Op voorraad 53491 PCS
Contactgegevens
Gerelateerde producten
Trefwoorden vanIPB12CNE8N G
IPB12CNE8N G Elektronische componenten
IPB12CNE8N G verkoop
IPB12CNE8N G Leverancier
IPB12CNE8N G Distributeur
IPB12CNE8N G Data tafel
IPB12CNE8N G Foto's
IPB12CNE8N G Prijs
IPB12CNE8N G Aanbod
IPB12CNE8N G Laagste prijs
IPB12CNE8N G Zoekopdracht
IPB12CNE8N G Inkoop
IPB12CNE8N G Chip